打破平面IC設計舊思維 TSV引領3D IC新浪潮

作者: 林崇銘
2011 年 11 月 24 日
不同於過去晶片設計的二維思考模式,矽穿孔(TSV)技術係採三維(3D)堆疊方式進行開發,可縮短每層晶片間的內部連結路徑,提升訊號傳遞速度,並降低雜訊與功耗;同時,也可實現更多異質功能整合,滿足未來行動裝置輕薄且多功能的嚴苛要求。
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